Японские власти намерены выделить порядка 350 млрд иен (около 2,38 млрд долларов) на совместный с США научно-исследовательского центра для разработки 2-нанометровых полупроводников следующего поколения. Об этом сообщает ТАСС, ссылаясь на публикацию газеты Nikkei.

Договоренность о создании такого центра была достигнута в конце июля.

Как ожидается, научно-исследовательский центр создадут к концу года. В проекте примут участие Токийский университет, японский Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, Институт естественных наук «Рикэн». Остальных участников проекта назовут позднее. В качестве одного из кандидатов рассматривается американская IBM.